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主要設備

 

これら大部分の装置は学部に関わらず、学内の卒研生、院生、教員が研究の為に無料で使用できます。ただし加速器は放射線発生装置の為、放射線教育受講者(*)のみ使用できます。 興味のある学生は指導教員の許可を得て ion-info@ml.hosei.ac.jp まで問い合わせてください。

 

* 年度始め(4月頃)に受講案内が掲示されます。


バンデグラフ加速器

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Highvoltage Engineering社製のバンデグラフ型イオン加速器で最大電圧は250万ボルト。昭和54年に文部省の私立大学研究設備助成を得て導入されました。主に固体表面の深さ方向の定量的組成分析(RBS)や、微量元素分析(PIXE)に用いられています。

 

 

性能

加速電圧
0.5~2.0MV
加速イオン
H, He
最大イオン電流
H 150μA
He 10μA

分析用ビームライン、制御機器

 

タンデム加速器

バラ画像日新ハイボルテージ社製のタンデム型イオン加速器で最大加速電圧は150万ボルト。平成4年度に文部省の私立大学研究設備助成を得て導入されました。半導体をはじめとする、固体材料へ不純物イオンを導入する(イオン打ち込み)実験に用いられています。

 

性能

加速電圧
0.5~1.5MV
加速イオン
H, He, B~Au
最大イオンエネルギー
6MeV
最大イオン電流
150μA

注入用ライン、タンデム加速器制御盤と計測装置

その他の設備

バラ画像

膜厚測定器、簡易クリーンルーム、段差測定器、原子間力顕微鏡、顕微レーザーラマン兼PL測定装置、赤外線分光装置(FTIR)などがあります。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

クリーンルーム、エリプソメーター、段差測定器